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BC856BW,115

BC856BW,115 Nexperia

bc856w_bc857w_bc858w.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC856BW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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556+0.13 EUR
715+ 0.1 EUR
1132+ 0.063 EUR
1401+ 0.051 EUR
2243+ 0.032 EUR
3677+ 0.019 EUR
3907+ 0.018 EUR
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia BC856W_BC857W_BC858W-1319299.pdf Bipolar Transistors - BJT BC856BW/SOT323/SC-70
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA 3110638.pdf Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA 3110638.pdf Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA 1515642222250603bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans Gp Bjt Pnp 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin Sc-70 T/R
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC856BW,115 Hersteller : NXP BC856W_BC857W_BC858W.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT323 Uceo=65V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=125/475
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.13 EUR
100+ 0.11 EUR