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BC856BM3T5G

BC856BM3T5G ON Semiconductor

bc856bm3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details BC856BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc856bm3-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ONSEMI bc856bm3-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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1640+ 0.044 EUR
2035+ 0.035 EUR
2150+ 0.033 EUR
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Mindestbestellmenge: 1540
BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ONSEMI bc856bm3-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : onsemi bc856bm3-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc856bm3-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc856bm3-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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3290+ 0.037 EUR
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : onsemi BC856BM3_D-2310187.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : onsemi bc856bm3-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011394068-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC856BM3T5G BC856BM3T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011394068-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 16500 Stücke:
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