BC856B-QR Nexperia
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Technische Details BC856B-QR Nexperia
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 250 mW, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BC856B-QR | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC856B-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BC856B-QR | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856B-Q/SOT23/TO-236AB |
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BC856B-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC856B-QR | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC856B-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |