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Technische Details BC856AW,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 65 V, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BC856AW,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
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BC856AW,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856AW/SOT323/SC-70 |
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BC856AW,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
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BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 65 V tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 317621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856AW,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 317621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 317621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
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BC856AW,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
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BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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BC856AW,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
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BC856AW,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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