BC849CLT1G ON Semiconductor
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Technische Details BC849CLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC849CLT1G nach Preis ab 0.01 EUR bis 0.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BC849CLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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BC849CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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BC849CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 61336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849CLT1G | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
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BC849CLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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BC849CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC849CLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC849CLT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC849CLT1G Produktcode: 181271 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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