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BC848CWT1G

BC848CWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC848CWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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15000+ 0.047 EUR
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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1722+ 0.075 EUR
2494+ 0.049 EUR
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Mindestbestellmenge: 489
BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
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68+ 0.26 EUR
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
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3000+ 0.063 EUR
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24000+ 0.046 EUR
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12025 Stücke:
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC848CWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000772277-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC848CWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848CWT1G BC848CWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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