BC847S Diotec Semiconductor
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Technische Details BC847S Diotec Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BC847S nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.30 EUR
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT363 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT363 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 |
auf Bestellung 6193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 17202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 59001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN |
auf Bestellung 6542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 12420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BC847S Produktcode: 101805
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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BC847S | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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BC847S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R |
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BC847S | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN GP AMP SC70-6 |
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