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BC847CWT1G

BC847CWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC847CWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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75000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1563+ 0.046 EUR
1761+ 0.041 EUR
2093+ 0.034 EUR
2315+ 0.031 EUR
2513+ 0.028 EUR
2674+ 0.027 EUR
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BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 7540 Stücke:
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834+0.086 EUR
1563+ 0.046 EUR
1761+ 0.041 EUR
2093+ 0.034 EUR
2315+ 0.031 EUR
2513+ 0.028 EUR
2674+ 0.027 EUR
2825+ 0.025 EUR
3000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 834
BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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9000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 906
BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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916+0.17 EUR
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3175+ 0.042 EUR
3206+ 0.04 EUR
4673+ 0.026 EUR
6667+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 916
BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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239+ 0.074 EUR
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1000+ 0.04 EUR
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BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
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21+ 0.14 EUR
100+ 0.058 EUR
1000+ 0.04 EUR
3000+ 0.032 EUR
9000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23043 Stücke:
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BC847CWT1G BC847CWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23043 Stücke:
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