![BC847CQBZ BC847CQBZ](https://www.mouser.com/images/nexperia/lrg/SOT8015-3_SPL.jpg)
auf Bestellung 23835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.19 EUR |
500+ | 0.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC847CQBZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BC847CQBZ
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC847CQBZ | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847xQB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
BC847CQBZ | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 420mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
BC847CQBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
BC847CQBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |