BC847CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC847CE6327HTSA1 nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.43 EUR
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BJT SOT23 45V NPN 0.25W 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
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BC847CE6327HTSA1 Produktcode: 190245 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BJT SOT23 45V NPN 0.25W 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC847CE6327HTSA1 - BC847 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BC847CE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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