![BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1136/SOT-563-6_463A.jpg)
BC847BPDXV6T1G onsemi
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Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4000+ | 0.14 EUR |
8000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details BC847BPDXV6T1G onsemi
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 500mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC847BPDXV6T1G nach Preis ab 0.073 EUR bis 0.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 29872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
auf Bestellung 67850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 26850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G Produktcode: 126352 |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 150...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 150...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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