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BC847BLT1G

BC847BLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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30000+ 0.025 EUR
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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567+0.13 EUR
807+ 0.089 EUR
1425+ 0.05 EUR
2128+ 0.034 EUR
3624+ 0.02 EUR
3847+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 567
BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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807+ 0.089 EUR
1425+ 0.05 EUR
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3624+ 0.02 EUR
3847+ 0.019 EUR
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-2310268.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
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18+0.16 EUR
24+ 0.12 EUR
100+ 0.076 EUR
1000+ 0.033 EUR
3000+ 0.03 EUR
9000+ 0.021 EUR
45000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 18
BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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91+0.19 EUR
130+ 0.14 EUR
239+ 0.074 EUR
500+ 0.058 EUR
1000+ 0.04 EUR
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 631 Stücke:
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC847BLT1G BC847BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 317899 Stücke:
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BC847BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW BC847BLT3G BC847BLT1 TBC847blt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 558 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BC847BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW BC847BLT3G BC847BLT1 TBC847blt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BC847BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW BC847BLT3G BC847BLT1 TBC847blt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BC847BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
37+0.16 EUR
100+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 37
BC847BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000710672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC847BLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21609189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847BLT1G BC847BLT1G
Produktcode: 67191 		bc846alt1-d.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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