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BC847BDW1T3G

BC847BDW1T3G ON Semiconductor

bc846bdw1t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details BC847BDW1T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : onsemi BC846BDW1T1_D-2310328.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847BDW1T3G Hersteller : ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf
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BC847BDW1T3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002362665-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 150...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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BC847BDW1T3G Hersteller : Diodes Incorporated bc846bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G Hersteller : ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 150...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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