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BC847ALT1G

BC847ALT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1808 Stücke:
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1504+ 0.099 EUR
1520+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1165
BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-2310268.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
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19+ 0.15 EUR
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1000+ 0.046 EUR
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9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.026 EUR
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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319+0.23 EUR
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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723+ 0.099 EUR
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12000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 319
BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1808 Stücke:
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28710 Stücke:
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ONSEMI 1911603.pdf Description: ONSEMI - BC847ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC847ALT1G BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
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BC847ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC847A smd TBC847a
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2475 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BC847ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА; Р, Вт = 0,3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+3.22 EUR
10+ 0.59 EUR
100+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BC847ALT1G bc846alt1-d.pdf BC847ALT1G Транзисторы Bipolar
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BC847ALT1G bc846alt1-d.pdf
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BC847ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000710672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC847ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 75568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)