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BC846BWT1G

BC846BWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC846BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
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9000+ 0.027 EUR
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99000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 5435
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Mindestbestellmenge: 5236
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
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3000+0.04 EUR
6000+ 0.038 EUR
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30000+ 0.03 EUR
75000+ 0.026 EUR
150000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
1400+0.051 EUR
2050+ 0.035 EUR
2275+ 0.032 EUR
2875+ 0.025 EUR
3050+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Mindestbestellmenge: 1400
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 62532 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2488+0.063 EUR
2598+ 0.058 EUR
4311+ 0.034 EUR
5320+ 0.026 EUR
6000+ 0.025 EUR
15000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 2488
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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824+0.19 EUR
1187+ 0.13 EUR
1304+ 0.11 EUR
2326+ 0.06 EUR
2488+ 0.054 EUR
2598+ 0.049 EUR
4311+ 0.028 EUR
5320+ 0.023 EUR
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BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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24000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
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108+ 0.16 EUR
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500+ 0.069 EUR
1000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 77
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ONSEMI 1907697.pdf Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 59090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ONSEMI 1907697.pdf Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC846BWT1G BC846BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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BC846BWT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846awt1-d.pdf NPN 65V 0.1A 150mW 100MHz BC846BWT1G ONS TBC846bw ONS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500