BC846BM,315 Nexperia
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Technische Details BC846BM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC846BM,315 nach Preis ab 0.023 EUR bis 0.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BC846BM,315 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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BC846BM,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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BC846BM,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BC846BM,315 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC846BM/SOT883/XQFN3 |
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BC846BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC846BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC846BM,315 | Hersteller : Nexperia |
Транз. Бипол. ММ NPN XFDFN-3 Uce=65V, Ic=0.1A, P=250mW, B=200-290@I=2mA, f>100MHz AEC-Q101 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC846BM,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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