BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
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Technische Details BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Dauer-Kollektorstrom: 120mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 120mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC846BHZGT116 nach Preis ab 0.079 EUR bis 0.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 120mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Dauer-Kollektorstrom: 120mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 120mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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