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BC817K25E6327HTSA1

BC817K25E6327HTSA1 Infineon Technologies

bc817series_bc818series.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC817K25E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 500 mW.

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BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc817series_bc818series.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4a-BC-817-40-E6433.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BC817KSERIES_BC818KSERIES_DS_v01_01_en_Da-3360509.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
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BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4a-BC-817-40-E6433.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC817K25E6327HTSA1 - BC817 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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