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Technische Details BC817-25QCZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC817-25QCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BC817-25QCZ nach Preis ab 0.038 EUR bis 0.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BC817-25QCZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC817-25QCZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC817-25QCZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC817-25QCZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW |
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BC817-25QCZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC817-25QC/SOT8009/DFN1412D-3 |
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BC817-25QCZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-25QCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BC817-25QCZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-25QCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| BC817-25QCZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC817-25QCZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 380 mW |
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