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BC808-25LT1G
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BC808-25LT1G ONSEMI

bc808-25lt1-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 160...400
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
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Technische Details BC808-25LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC808-25LT1G
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 		BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI bc808-25lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 160...400
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : onsemi bc808-25lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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30000+ 0.22 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : onsemi BC808_25LT1_D-2310031.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : onsemi bc808-25lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27369 Stücke:
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002315035-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 374980 Stücke:
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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