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BC856BE-6327


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Technische Details BC856BE-6327

Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 330 mW.

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BC856BE6327 INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BC856BE6327 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856BE6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC 856B E6327 BC 856B E6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
BC 856B E6327 BC 856B E6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
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BC856BE6327 BC856BE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
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