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BAS386-TR3

BAS386-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bas386.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BAS386-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: MicroMELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BAS386-TR3 BAS386-TR3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas386.pdf Description: DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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