Produkte > TOSHIBA > BAS316,H3F
BAS316,H3F

BAS316,H3F Toshiba

13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Hersteller: Toshiba
Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
auf Bestellung 7798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6494+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6494
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BAS316,H3F Toshiba

Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.

Weitere Produktangebote BAS316,H3F nach Preis ab 0.019 EUR bis 0.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BAS316,H3F BAS316,H3F Hersteller : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
auf Bestellung 7798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1303+0.12 EUR
1877+ 0.079 EUR
1898+ 0.076 EUR
3312+ 0.042 EUR
3345+ 0.04 EUR
4099+ 0.031 EUR
6212+ 0.02 EUR
6370+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1303
BAS316,H3F BAS316,H3F Hersteller : Toshiba BAS316_datasheet_en_20161020-1139661.pdf Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A
auf Bestellung 19610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+0.26 EUR
16+ 0.18 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BAS316,H3F BAS316,H3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage BAS316_datasheet_en_20161020.pdf?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+0.28 EUR
90+ 0.2 EUR
166+ 0.11 EUR
500+ 0.083 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 63
BAS316,H3F BAS316,H3F Hersteller : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BAS316,H3F BAS316,H3F Hersteller : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BAS316,H3F BAS316,H3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage BAS316_datasheet_en_20161020.pdf?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
Produkt ist nicht verfügbar