BAS21QB-QZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE GP 200V 250MA DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: DIODE GP 200V 250MA DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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44+ | 0.4 EUR |
66+ | 0.27 EUR |
134+ | 0.13 EUR |
500+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.076 EUR |
2000+ | 0.066 EUR |
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Technische Details BAS21QB-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN1110D, Durchlassstoßstrom: 9A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BAS21QB-QZ nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BAS21QB-QZ | Hersteller : Nexperia | Small Signal Switching Diodes BAS21QB-Q/SOT8015/DFN1110D-3 |
auf Bestellung 9334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BAS21QB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21QB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21QB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE GP 200V 250MA DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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