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BAS16M3T5G ON Semiconductor
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Technische Details BAS16M3T5G ON Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 6 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOT-723, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote BAS16M3T5G nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BAS16M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BAS16M3T5G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-723 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
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