B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.99 EUR |
| 15+ | 5.03 EUR |
| 16+ | 4.76 EUR |
| 150+ | 4.66 EUR |
| 600+ | 4.58 EUR |
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Technische Details B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.78V, Max. forward impulse current: 190A, Kind of package: tube, Power dissipation: 159W, Leakage current: 40µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B2D20120H1 nach Preis ab 4.76 EUR bis 6.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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B2D20120H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.78V Max. forward impulse current: 190A Kind of package: tube Power dissipation: 159W Leakage current: 40µA |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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