B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 130W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Power dissipation: 130W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 146A
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 15µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 13+ | 5.62 EUR |
| 15+ | 5.05 EUR |
| 18+ | 3.98 EUR |
| 120+ | 3.83 EUR |
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Technische Details B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 130W; TO247-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 20A, Power dissipation: 130W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 146A, Max. forward voltage: 1.7V, Leakage current: 15µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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B2D20065H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 130W; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Power dissipation: 130W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 146A Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 15µA |
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