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B125C1000G-E4/51

B125C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor

b40c1000g.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
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Technische Details B125C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A WOG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

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B125C1000G-E4/51 B125C1000G-E4/51 Hersteller : Vishay Semiconductors b40c1000g-240361.pdf Bridge Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
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B125C1000G-E4/51 B125C1000G-E4/51 Hersteller : Vishay b40c1000g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 1.2A 4-Pin Case WOG Bulk
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B125C1000G-E4/51 B125C1000G-E4/51 Hersteller : Vishay b40c1000g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 1.2A 4-Pin Case WOG Bulk
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B125C1000G-E4/51 B125C1000G-E4/51 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division b40c1000g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A WOG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOG
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOG
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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B125C1000G-E4/51 Hersteller : VISHAY b40c1000g.pdf Category: Round single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 350V; If: 1.2A; Ifsm: 45A
Max. off-state voltage: 350V
Load current: 1.2A
Case: WOG-4
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 45A
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: bag
Type of bridge rectifier: single-phase
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