AUIRLR3410TRL

AUIRLR3410TRL Infineon Technologies


IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details AUIRLR3410TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : Infineon Technologies auirlr3410-1225220.pdf MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : Infineon Technologies 3677771262171658auirlr3410.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : Infineon Technologies 3677771262171658auirlr3410.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002297192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002297192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : Infineon Technologies 3677771262171658auirlr3410.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Hersteller : Infineon Technologies IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
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Grade: Automotive
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