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AUIRLR120NTRL

AUIRLR120NTRL Infineon Technologies

auirlr120n-3159719.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms
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Technische Details AUIRLR120NTRL Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : INFINEON 2332925.pdf Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 48
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Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : INFINEON 2332925.pdf Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
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AUIRLR120NTRL Hersteller : Infineon INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : Infineon Technologies 9448666780305524auirlr120n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : Infineon Technologies 9448666780305524auirlr120n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : Infineon Technologies 9448666780305524auirlr120n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL Hersteller : Infineon Technologies INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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