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AUIRFSA8409-7TRL

AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies


auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 523A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfsa8409_7P-1730927.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
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AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Hersteller : Infineon Technologies 5206auirfsa8409-7p.pdffileid5546d462533600a4015355b9bf8114fb.pdffilei.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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