AUIRFS3107TRL Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 5.38 EUR |
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Technische Details AUIRFS3107TRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote AUIRFS3107TRL nach Preis ab 5.03 EUR bis 10.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET |
auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AUIRFS3107TRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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