AUIRFR3710ZTRL Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details AUIRFR3710ZTRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote AUIRFR3710ZTRL nach Preis ab 1.94 EUR bis 4.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms |
auf Bestellung 10786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AUIRFR3710ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V |
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