AUIRFN8459TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4000+ | 2.01 EUR |
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Technische Details AUIRFN8459TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AUIRFN8459TR nach Preis ab 1.56 EUR bis 6.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active |
auf Bestellung 12093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Dual N Channel HEXFET |
auf Bestellung 7093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
AUIRFN8459TR SMD N channel transistors |
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