AUIRF7749L2TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 11.84 EUR |
| 10+ | 10.15 EUR |
| 100+ | 8.46 EUR |
| 500+ | 7.46 EUR |
| 1000+ | 6.71 EUR |
| 2000+ | 6.29 EUR |
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Technische Details AUIRF7749L2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 345A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: DirectFET SB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote AUIRF7749L2TR nach Preis ab 6.78 EUR bis 11.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AUIRF7749L2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7749L2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET SB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7749L2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0011 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 345A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET SB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7749L2TR | Hersteller : Infineon |
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AUIRF7749L2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 36A Automotive 9-Pin Direct-FET2 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF7749L2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 345A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10655 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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