AUIRF7675M2TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M2
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details AUIRF7675M2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: DirectFET M2, Anzahl der Pins: 7Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AUIRF7675M2TR nach Preis ab 1.66 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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AUIRF7675M2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric M2 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7675M2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2 |
auf Bestellung 4538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7675M2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: DirectFET M2 Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7675M2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: DirectFET M2 Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7675M2TR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
AUIRF7675M2TR SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF7675M2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.4A Automotive 7-Pin Direct-FET M2 T/R |
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