AUIRF7341QTR Infineon Technologies
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Technische Details AUIRF7341QTR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AUIRF7341QTR nach Preis ab 1.54 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AUIRF7341QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 47790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 47790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| AUIRF7341QTR | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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AUIRF7341QTR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced |
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