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Technische Details ATP113-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ATP113-TL-H nach Preis ab 1.27 EUR bis 2.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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ATP113-TL-H | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
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ATP113-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ATP113-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ATP113-TL-H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 35A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ATP113-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
ATP113-TL-H SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ATP113-TL-H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
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