APTM20DAM04G Microchip Technology
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Technische Details APTM20DAM04G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 1488A, Case: SP6C, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 278A, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 1.25kW, Type of module: MOSFET transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM20DAM04G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTM20DAM04G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; diode/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 1488A Case: SP6C Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 278A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTM20DAM04G | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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APTM20DAM04G | Hersteller : Microsemi |
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APTM20DAM04G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; diode/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 1488A Case: SP6C Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 278A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 1.25kW Type of module: MOSFET transistor |
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