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APTM10TAM19FPG Microchip Technology
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Technische Details APTM10TAM19FPG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP6P, Power dissipation: 208W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, On-state resistance: 21mΩ, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET x3 half-bridge, Pulsed drain current: 300A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTM10TAM19FPG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6P Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 21mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET x3 half-bridge Pulsed drain current: 300A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTM10TAM19FPG | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTM10TAM19FPG | Hersteller : Microsemi Corporation |
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APTM10TAM19FPG | Hersteller : Microchip Technology |
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APTM10TAM19FPG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6P Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 21mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET x3 half-bridge Pulsed drain current: 300A |
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