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APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G Microchip Technology


4008866090886838055-aptm10hm09ft3g-rev2-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 139A 32-Pin Case SP-3 Tube
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Technische Details APTM10HM09FT3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 430A, Power dissipation: 390W, Case: SP3F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 10mΩ, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTM10HM09FT3G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8055 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB
Technology: FREDFET; POWER MOS 5®
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 390W
Case: SP3F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10mΩ
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM10HM09FT3G Hersteller : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8055 Description: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
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APTM10HM09FT3G Hersteller : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8055 Discrete Semiconductor Modules CC3027
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APTM10HM09FT3G Hersteller : Microchip Technology APTM10HM09FT3G_Rev3-3445168.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F
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APTM10HM09FT3G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8055 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB
Technology: FREDFET; POWER MOS 5®
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 390W
Case: SP3F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10mΩ
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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