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APTGT50DH170TG

APTGT50DH170TG Microchip Technology


12097895-aptgt50dh170tg-rev1-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1700V 75A 312000mW 20-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTGT50DH170TG Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.7kV, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Case: SP4, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 100A, Anzahl je Verpackung: 9 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTGT50DH170TG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7895 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.7kV
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor
Case: SP4
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 9 Stücke
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APTGT50DH170TG Hersteller : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7895 Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4
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APTGT50DH170TG Hersteller : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7895 IGBT Modules DOR CC4122
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APTGT50DH170TG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7895 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.7kV
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor
Case: SP4
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
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