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APTGT150DH60TG Microchip Technology
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Technische Details APTGT150DH60TG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering, Case: SP4, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTGT150DH60TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Case: SP4 Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTGT150DH60TG | Hersteller : Microchip Technology |
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APTGT150DH60TG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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APTGT150DH60TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Case: SP4 Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A |
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