Technische Details APTGT150DA60T1G Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Application: motors, Case: SP1, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Anzahl je Verpackung: 19 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTGT150DA60T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Application: motors Case: SP1 Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper; NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A Anzahl je Verpackung: 19 Stücke |
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APTGT150DA60T1G | Hersteller : Microchip Technology |
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APTGT150DA60T1G | Hersteller : Microchip Technology |
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APTGT150DA60T1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Application: motors Case: SP1 Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper; NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 350A |
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