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APTGT150A60T1G

APTGT150A60T1G Microchip Technology


1377715-aptgt150a60t1g-rev1-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 480000mW 12-Pin Case SP-1 Tube
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Technische Details APTGT150A60T1G Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Case: SP1, Application: motors, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Anzahl je Verpackung: 14 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTGT150A60T1G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 7715-aptgt150a60t1g-rev1-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Case: SP1
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Anzahl je Verpackung: 14 Stücke
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APTGT150A60T1G APTGT150A60T1G Hersteller : Microsemi Power Products Group 7715-aptgt150a60t1g-rev1-pdf Description: IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1
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APTGT150A60T1G Hersteller : Microsemi APTGT150A60T1G-Rev1-603761.pdf IGBT Modules Power Module - IGBT
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APTGT150A60T1G Hersteller : Microchip Technology APTGT150A60T1G_Rev1-3107093.pdf IGBT Modules DOR CC8063
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APTGT150A60T1G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 7715-aptgt150a60t1g-rev1-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Case: SP1
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
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