APTGT100DH120TG Microchip Technology
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Technische Details APTGT100DH120TG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV, Pulsed collector current: 200A, Semiconductor structure: diode/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering, Mechanical mounting: screw, Case: SP4, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Gate-emitter voltage: ±20V, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, Collector current: 100A, Anzahl je Verpackung: 8 Stücke.
Weitere Produktangebote APTGT100DH120TG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTGT100DH120TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Mechanical mounting: screw Case: SP4 Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Gate-emitter voltage: ±20V Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Collector current: 100A Anzahl je Verpackung: 8 Stücke |
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| APTGT100DH120TG | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 |
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| APTGT100DH120TG | Hersteller : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
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| APTGT100DH120TG | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP4 |
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| APTGT100DH120TG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Mechanical mounting: screw Case: SP4 Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Gate-emitter voltage: ±20V Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor Collector current: 100A |
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