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APT9M100B MICROCHIP (MICROSEMI)
![7318-apt9m100b-apt9m100s-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 37A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 17.88 EUR |
7+ | 10.21 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
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Technische Details APT9M100B MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 6A, On-state resistance: 1.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 335W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 80nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 37A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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APT9M100B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 37A Mounting: THT Case: TO247-3 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT9M100B | Hersteller : Microsemi |
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auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT9M100B | Hersteller : Microchip Technology |
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APT9M100B | Hersteller : Microchip Technology |
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