APT80GA60LD40 Microchip Technology
![123667-apt80ga60ld40-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT PT 600V 143A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 21.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT80GA60LD40 Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 143A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Supplier Device Package: TO-264, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns, Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off), Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 143 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 625 W.
Weitere Produktangebote APT80GA60LD40 nach Preis ab 17.92 EUR bis 21.19 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT80GA60LD40 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
APT80GA60LD40 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
![]() |
APT80GA60LD40 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 Technology: POWER MOS 8® Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 326ns Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 240A Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
APT80GA60LD40 | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
![]() |
APT80GA60LD40 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 Technology: POWER MOS 8® Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 326ns Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 240A Type of transistor: IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |