![APT8020LLLG APT8020LLLG](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2009/7/8/5/24/4/425/mcs_/manual/3pin_to-264.jpg)
APT8020LLLG Microchip Technology
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT8020LLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 694W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 195nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT8020LLLG nach Preis ab 45.48 EUR bis 52.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT8020LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
![]() |
APT8020LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
APT8020LLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 195nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Drain current: 38A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
APT8020LLLG | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
|
APT8020LLLG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
APT8020LLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 195nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Drain current: 38A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |