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APT7M120B

APT7M120B Microchip Technology

7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Hersteller: Microchip Technology
MOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-247
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Technische Details APT7M120B Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Technology: POWER MOS 8®, Gate charge: 80nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 28A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 5A, On-state resistance: 2.1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 335W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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APT7M120B APT7M120B Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 8®
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 28A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 2.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
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APT7M120B APT7M120B Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 8®
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 28A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 2.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
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APT7M120B APT7M120B Hersteller : Microsemi Corporation 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
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APT7M120B APT7M120B Hersteller : Microsemi 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet MOSFET Power MOSFET - MOS8
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